面對復雜的國際科技競合局勢，中國芯片有三個突圍方法：

開放結(jié)盟（換生態(tài)）：

短期來看，學習Intel聯(lián)合美國整個芯片產(chǎn)業(yè)組成“極紫外聯(lián)盟（EUV LLC）”，中國應與非敏感國家形成新一代芯片研發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈。比如，借助RCEP自由貿(mào)易框架，與日韓等亞太國家產(chǎn)業(yè)鏈融合發(fā)展，形成堪比歐盟、北美的亞洲多邊研發(fā)陣營，投入共攤、利益共享。

跳躍卡位（換戰(zhàn)場）：

中期來看，智能手機產(chǎn)業(yè)已經(jīng)發(fā)展至成熟階段，而5G時代的智能網(wǎng)聯(lián)汽車、AR眼鏡、智能家居物聯(lián)網(wǎng)、智能傳感器正在興起，所以瞄準下一代AIoT終端的“算法+芯片”需求進行研發(fā)，將獲得“彎道超車”的時代紅利。

例如，華為出售榮耀、開發(fā)全棧智能汽車技術，研發(fā)功耗容忍度更高的汽車芯片、智能家居芯片，將芯片競賽拉至未來戰(zhàn)場，是一招“騰籠換鳥”的妙棋，值得更多中國手機企業(yè)、新能源汽車企業(yè)、人工智能企業(yè)借鑒。

研發(fā)變軌（換技術）：

長期來看，近日臺積電宣布2023年試產(chǎn)2nm芯片，并進行1nm工藝研發(fā)，硅基芯片離“天花板”越來越近。

選擇新材料研發(fā)未來芯片將率先開展“終局競爭”，90nm的碳基芯片能達到28nm的硅基芯片水平，能夠繞開精密儀器的限制。

2020年10月，中科院上海微系統(tǒng)所推出了國產(chǎn)9英寸石墨烯單晶晶元。另一方面，北大研發(fā)團隊計劃在2~3年內(nèi)完成90nm碳基CMOS工藝研發(fā)，而真正跨越從理論到量產(chǎn)的鴻溝則面對新的挑戰(zhàn)。例如，將碳納米管的半導體純度提升至6個9，解決芯片設計設備、生產(chǎn)流程管理等工程問題，這一重大升級換道過程可能需要十至數(shù)十年的時間。

（來源：底層設計師）